Numărul piesei :
SIHB12N60ET5-GE3
Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
12A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
58nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
937pF @ 100V
Distrugerea puterii (Max) :
147W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
TO-263 (D²Pak)
Pachet / Caz :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB