Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Dioduri - Redresoare - Single
  5. JAN1N3766R

Microsemi Corporation - JAN1N3766R

KEY Part #: K6443513

JAN1N3766R Preț (USD) [1431buc Stoc]

  • 1 pcs$30.39572
  • 100 pcs$30.24450
Numărul piesei:
JAN1N3766R
Producător:
Microsemi Corporation
Descriere detaliata:
DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Tiristoare - TRIAC ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N3766R electronic components. JAN1N3766R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N3766R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N3766R Atributele produsului

Numărul piesei : JAN1N3766R
Producător : Microsemi Corporation
Descriere : DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB
Serie : Military, MIL-PRF-19500/297
Starea parțială : Active
Tipul diodei : Standard, Reverse Polarity
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 800V
Curent - mediu rectificat (Io) : 35A
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1.4V @ 110A
Viteză : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) : -
Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 10µA @ 800V
Capacitate @ Vr, F : -
Tipul de montare : Chassis, Stud Mount
Pachet / Caz : DO-203AB, DO-5, Stud
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : DO-5
Temperatura de funcționare - Junction : -65°C ~ 175°C

Cele mai recente știri

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Poți fi, de asemenea, interesat
  • UD0506T-TL-HX

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0504T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • SCS212AJTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK

  • SCS210AJHRTLL

    Rohm Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

  • VS-8EWF02S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • V10150S-E3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB.

Piese calde