Infineon Technologies - IRF7807D2PBF

KEY Part #: K6411509

[13766buc Stoc]


    Numărul piesei:
    IRF7807D2PBF
    Producător:
    Infineon Technologies
    Descriere detaliata:
    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - RF, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - Zener - Single, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Dioduri - punți redresoare ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7807D2PBF electronic components. IRF7807D2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7807D2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7807D2PBF Atributele produsului

    Numărul piesei : IRF7807D2PBF
    Producător : Infineon Technologies
    Descriere : MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
    Serie : FETKY™
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : N-Channel
    Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 30V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 8.3A (Ta)
    Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 7A, 4.5V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±12V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET Feature : Schottky Diode (Isolated)
    Distrugerea puterii (Max) : 2.5W (Ta)
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-SO
    Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Poți fi, de asemenea, interesat
    • BS170RLRAG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • 2SJ377(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • IRLR8503TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRLR8503PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRLR8113PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRLR7833TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.