Diodes Incorporated - DMN67D8LDW-13

KEY Part #: K6524911

DMN67D8LDW-13 Preț (USD) [1325416buc Stoc]

  • 1 pcs$0.02791
  • 10,000 pcs$0.02506

Numărul piesei:
DMN67D8LDW-13
Producător:
Diodes Incorporated
Descriere detaliata:
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Modulele Power Driver, Tiristoare - SCR - Module, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tiristoare - SCR-uri and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Diodes Incorporated DMN67D8LDW-13 electronic components. DMN67D8LDW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN67D8LDW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN67D8LDW-13 Atributele produsului

Numărul piesei : DMN67D8LDW-13
Producător : Diodes Incorporated
Descriere : MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Standard
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 230mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 0.82nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Putere - Max : 320mW
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SOT-363