Numărul piesei :
SI4451DY-T1-GE3
Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
12V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
10A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.25 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (a) (Max) @ Id :
800mV @ 850µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Distrugerea puterii (Max) :
1.5W (Ta)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
8-SO
Pachet / Caz :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)