IXYS - IXFM11N80

KEY Part #: K6400911

[3233buc Stoc]


    Numărul piesei:
    IXFM11N80
    Producător:
    IXYS
    Descriere detaliata:
    POWER MOSFET TO-3.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Module IGBT, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - Redresoare - Single, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Dioduri - RF, Tranzistori - IGBT - Arrays and Tiristoare - SCR-uri ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in IXYS IXFM11N80 electronic components. IXFM11N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFM11N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFM11N80 Atributele produsului

    Numărul piesei : IXFM11N80
    Producător : IXYS
    Descriere : POWER MOSFET TO-3
    Serie : HiPerFET™
    Starea parțială : Last Time Buy
    Tipul FET : N-Channel
    Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 800V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 11A (Tc)
    Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 25V
    FET Feature : -
    Distrugerea puterii (Max) : 300W (Tc)
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Through Hole
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-204AA
    Pachet / Caz : TO-204AA, TO-3