Numărul piesei :
NSB8KTHE3/81
Producător :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere :
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Starea parțială :
Discontinued at Digi-Key
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) :
800V
Curent - mediu rectificat (Io) :
8A
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă :
1.1V @ 8A
Viteză :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) :
-
Scurgeri reversibile de curent @ Vr :
10µA @ 800V
Capacitate @ Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachet / Caz :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
TO-263AB
Temperatura de funcționare - Junction :
-55°C ~ 150°C