Diodes Incorporated - DMN6070SSD-13

KEY Part #: K6522216

DMN6070SSD-13 Preț (USD) [409104buc Stoc]

  • 1 pcs$0.09041
  • 2,500 pcs$0.08092

Numărul piesei:
DMN6070SSD-13
Producător:
Diodes Incorporated
Descriere detaliata:
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Modulele Power Driver, Tiristoare - SCR - Module, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - scop special, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single and Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Diodes Incorporated DMN6070SSD-13 electronic components. DMN6070SSD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN6070SSD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN6070SSD-13 Atributele produsului

Numărul piesei : DMN6070SSD-13
Producător : Diodes Incorporated
Descriere : MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : 2 N-Channel (Dual)
FET Feature : Logic Level Gate
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 3.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 12.3nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 588pF @ 30V
Putere - Max : 1.2W
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-SO

Poți fi, de asemenea, interesat