Numărul piesei :
SIB800EDK-T1-GE3
Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
Starea parțială :
Obsolete
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
20V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
1.5A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (a) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
1.7nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET Feature :
Schottky Diode (Isolated)
Distrugerea puterii (Max) :
1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Pachet / Caz :
PowerPAK® SC-75-6L