Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays
  5. EPC2103ENG

EPC - EPC2103ENG

KEY Part #: K6523725

[4069buc Stoc]

    Numărul piesei:
    EPC2103ENG
    Producător:
    EPC
    Descriere detaliata:
    GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - JFET-uri, Modulele Power Driver, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Dioduri - Zener - Single and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in EPC EPC2103ENG electronic components. EPC2103ENG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2103ENG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EPC2103ENG Atributele produsului

    Numărul piesei : EPC2103ENG
    Producător : EPC
    Descriere : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
    Serie : eGaN®
    Starea parțială : Active
    Tipul FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET Feature : GaNFET (Gallium Nitride)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 80V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 23A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 5V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 5V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 40V
    Putere - Max : -
    Temperatura de Operare : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachet / Caz : Die
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Die
    Poți fi, de asemenea, interesat
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • STC6NF30V

      STMicroelectronics

      MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP.

    • AO8822#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8814#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP.

    • AO8810#A

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

    • AO8804_100

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2N-CH 20V.

    Piese calde