Numărul piesei :
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
Tipul FET :
2 N-Channel (Dual)
FET Feature :
Silicon Carbide (SiC)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (a) (Max) @ Id :
5.55V @ 40mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
250nC @ 15V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
7950pF @ 800V
Temperatura de Operare :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Chassis Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
Module