Vishay Siliconix - SIHF8N50L-E3

KEY Part #: K6412784

[13326buc Stoc]


    Numărul piesei:
    SIHF8N50L-E3
    Producător:
    Vishay Siliconix
    Descriere detaliata:
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays and Tranzistori - FET, MOSFET - Single ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Vishay Siliconix SIHF8N50L-E3 electronic components. SIHF8N50L-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHF8N50L-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIHF8N50L-E3 Atributele produsului

    Numărul piesei : SIHF8N50L-E3
    Producător : Vishay Siliconix
    Descriere : MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
    Serie : -
    Starea parțială : Active
    Tipul FET : N-Channel
    Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 500V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 8A (Tc)
    Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 4A, 10V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±30V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 873pF @ 25V
    FET Feature : -
    Distrugerea puterii (Max) : 40W (Tc)
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Through Hole
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-220 Full Pack
    Pachet / Caz : TO-220-3 Full Pack