Numărul piesei :
SIR690DP-T1-GE3
Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
200V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
34.4A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 7.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
1935pF @ 100V
Distrugerea puterii (Max) :
104W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PowerPAK® SO-8
Pachet / Caz :
PowerPAK® SO-8