Vishay Siliconix - IRFR120TRRPBF

KEY Part #: K6393060

IRFR120TRRPBF Preț (USD) [124508buc Stoc]

  • 1 pcs$0.29707
  • 3,000 pcs$0.27895

Numărul piesei:
IRFR120TRRPBF
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - RF, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix IRFR120TRRPBF electronic components. IRFR120TRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR120TRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR120TRRPBF Atributele produsului

Numărul piesei : IRFR120TRRPBF
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 100V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 7.7A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : D-Pak
Pachet / Caz : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poți fi, de asemenea, interesat