Numărul piesei :
IPB020N10N5ATMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
100V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
120A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.8V @ 270µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
210nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
15600pF @ 50V
Distrugerea puterii (Max) :
375W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
D²PAK (TO-263AB)
Pachet / Caz :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB