Infineon Technologies - IRF2807PBF

KEY Part #: K6400132

IRF2807PBF Preț (USD) [54689buc Stoc]

  • 1 pcs$0.77349
  • 10 pcs$0.68443
  • 100 pcs$0.54085
  • 500 pcs$0.41944
  • 1,000 pcs$0.31324

Numărul piesei:
IRF2807PBF
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Modulele Power Driver, Tranzistori - Module IGBT and Tranzistori - scop special ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies IRF2807PBF electronic components. IRF2807PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF2807PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2807PBF Atributele produsului

Numărul piesei : IRF2807PBF
Producător : Infineon Technologies
Descriere : MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 75V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 82A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 3820pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 230W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-220AB
Pachet / Caz : TO-220-3