Numărul piesei :
DMN10H170SFG-7
Producător :
Diodes Incorporated
Descriere :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
100V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
870.7pF @ 25V
Distrugerea puterii (Max) :
940mW (Ta)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PowerDI3333-8
Pachet / Caz :
8-PowerWDFN