Numărul piesei :
APTM120H140FT1G
Producător :
Microsemi Corporation
Descriere :
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Tipul FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
3812pF @ 25V
Temperatura de Operare :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Chassis Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
SP1