ITT Cannon, LLC - 120220-0161

KEY Part #: K7359522

120220-0161 Preț (USD) [730635buc Stoc]

  • 1 pcs$0.05062
  • 6,000 pcs$0.04746
  • 12,000 pcs$0.04271
  • 30,000 pcs$0.04208
  • 60,000 pcs$0.04113

Numărul piesei:
120220-0161
Producător:
ITT Cannon, LLC
Descriere detaliata:
UNIVERSAL CONTACT 2.5MM SMD. Battery Contacts
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Diflexoare RF, RFID, acces RF, IC-uri de monitorizare, Frontul RF (LNA + PA), Module transceiver RF, RF circuitele de comandă a puterii RF, RF separatoare de putere / splittere, Antene RF and RFI și EMI - contacte, amprente și garnituri ...
Avantaj competitiv:
We specialize in ITT Cannon, LLC 120220-0161 electronic components. 120220-0161 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 120220-0161, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0161 Atributele produsului

Numărul piesei : 120220-0161
Producător : ITT Cannon, LLC
Descriere : UNIVERSAL CONTACT 2.5MM SMD
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip : Shield Finger, Pre-Loaded
Formă : -
Lăţime : 0.043" (1.10mm)
Lungime : 0.192" (4.87mm)
Înălţime : 0.098" (2.50mm)
Material : Beryllium Copper
Placare : Gold
Placare - Grosime : 5.906µin (0.15µm)
Metoda de atașament : Solder
Temperatura de Operare : -

Poți fi, de asemenea, interesat
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.