ON Semiconductor - RFD3055LESM9A

KEY Part #: K6409535

RFD3055LESM9A Preț (USD) [341742buc Stoc]

  • 1 pcs$0.10823
  • 2,500 pcs$0.10700
  • 5,000 pcs$0.09962
  • 12,500 pcs$0.09839

Numărul piesei:
RFD3055LESM9A
Producător:
ON Semiconductor
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Dioduri - RF, Dioduri - Redresoare - Single, Tranzistori - IGBT - Single, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tiristoare - SCR - Module and Tiristoare - SCR-uri ...
Avantaj competitiv:
We specialize in ON Semiconductor RFD3055LESM9A electronic components. RFD3055LESM9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFD3055LESM9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFD3055LESM9A Atributele produsului

Numărul piesei : RFD3055LESM9A
Producător : ON Semiconductor
Descriere : MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 11A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 38W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-252AA
Pachet / Caz : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63