Vishay Siliconix - SQJ422EP-T1_GE3

KEY Part #: K6416199

SQJ422EP-T1_GE3 Preț (USD) [118007buc Stoc]

  • 1 pcs$0.31343
  • 3,000 pcs$0.27408

Numărul piesei:
SQJ422EP-T1_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Redresoare - Single, Modulele Power Driver, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tiristoare - TRIAC and Tranzistori - Module IGBT ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_GE3 electronic components. SQJ422EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ422EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ422EP-T1_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQJ422EP-T1_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 40V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 74A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 4660pF @ 20V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 83W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SO-8
Pachet / Caz : PowerPAK® SO-8