Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - Single
  5. EPC2018

EPC - EPC2018

KEY Part #: K6403908

EPC2018 Preț (USD) [2195buc Stoc]

  • 500 pcs$3.64426
Numărul piesei:
EPC2018
Producător:
EPC
Descriere detaliata:
GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR-uri, Dioduri - punți redresoare, Modulele Power Driver, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - JFET-uri, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - IGBT - Arrays and Tranzistori - IGBT - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in EPC EPC2018 electronic components. EPC2018 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2018, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2018 Atributele produsului

Numărul piesei : EPC2018
Producător : EPC
Descriere : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Starea parțială : Discontinued at Digi-Key
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 150V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 12A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 100V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : -
Temperatura de Operare : -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Die
Pachet / Caz : Die
Poți fi, de asemenea, interesat
  • AUIRFR8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8403

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • AUIRFR8401

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

  • IRLR3715TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

Piese calde