Texas Instruments - CSD19506KTT

KEY Part #: K6395303

CSD19506KTT Preț (USD) [32303buc Stoc]

  • 1 pcs$1.40074
  • 500 pcs$1.39378

Numărul piesei:
CSD19506KTT
Producător:
Texas Instruments
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - IGBT - Arrays, Tranzistori - JFET-uri, Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays and Dioduri - Redresoare - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Texas Instruments CSD19506KTT electronic components. CSD19506KTT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19506KTT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19506KTT Atributele produsului

Numărul piesei : CSD19506KTT
Producător : Texas Instruments
Descriere : MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
Serie : NexFET™
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 80V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 200A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 156nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 12200pF @ 40V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 375W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : DDPAK/TO-263-3
Pachet / Caz : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA