Microsemi Corporation - APT75GT120JRDQ3

KEY Part #: K6532553

APT75GT120JRDQ3 Preț (USD) [2360buc Stoc]

  • 1 pcs$18.35131
  • 10 pcs$17.16017
  • 25 pcs$15.87062
  • 100 pcs$14.87874
  • 250 pcs$13.88682

Numărul piesei:
APT75GT120JRDQ3
Producător:
Microsemi Corporation
Descriere detaliata:
IGBT 1200V 97A 480W SOT227.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - IGBT - Single, Tiristoare - SCR-uri, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased and Dioduri - punți redresoare ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Microsemi Corporation APT75GT120JRDQ3 electronic components. APT75GT120JRDQ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT75GT120JRDQ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT75GT120JRDQ3 Atributele produsului

Numărul piesei : APT75GT120JRDQ3
Producător : Microsemi Corporation
Descriere : IGBT 1200V 97A 480W SOT227
Serie : Thunderbolt IGBT®
Starea parțială : Active
Tip IGBT : NPT
configurație : Single
Tensiune - emițător colector (Max) : 1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) : 97A
Putere - Max : 480W
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 75A
Curentul curent - colector (maxim) : 200µA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 5.1nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : ISOTOP®

Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.