Vishay Siliconix - SI3499DV-T1-E3

KEY Part #: K6408666

[549buc Stoc]


    Numărul piesei:
    SI3499DV-T1-E3
    Producător:
    Vishay Siliconix
    Descriere detaliata:
    MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP.
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Redresoare - Arrays, Modulele Power Driver, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tiristoare - SCR - Module, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays and Tiristoare - DIAC, SIDAC ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Vishay Siliconix SI3499DV-T1-E3 electronic components. SI3499DV-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3499DV-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3499DV-T1-E3 Atributele produsului

    Numărul piesei : SI3499DV-T1-E3
    Producător : Vishay Siliconix
    Descriere : MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
    Serie : TrenchFET®
    Starea parțială : Obsolete
    Tipul FET : P-Channel
    Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 8V
    Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 5.3A (Ta)
    Tensiunea de transmisie (valorile max. : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 7A, 4.5V
    Vgs (a) (Max) @ Id : 750mV @ 250µA
    Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±5V
    Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET Feature : -
    Distrugerea puterii (Max) : 1.1W (Ta)
    Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 6-TSOP
    Pachet / Caz : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6