Numărul piesei :
IPD65R650CEATMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Starea parțială :
Obsolete
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
650V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
10.1A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
FET Feature :
Super Junction
Distrugerea puterii (Max) :
86W (Tc)
Temperatura de Operare :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PG-TO252-3
Pachet / Caz :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63