Microsemi Corporation - APT100GT120JR

KEY Part #: K6532756

APT100GT120JR Preț (USD) [2171buc Stoc]

  • 1 pcs$20.04945
  • 11 pcs$19.94970

Numărul piesei:
APT100GT120JR
Producător:
Microsemi Corporation
Descriere detaliata:
IGBT 1200V 123A 570W SOT227.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tiristoare - SCR-uri, Dioduri - RF, Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased and Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Microsemi Corporation APT100GT120JR electronic components. APT100GT120JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100GT120JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100GT120JR Atributele produsului

Numărul piesei : APT100GT120JR
Producător : Microsemi Corporation
Descriere : IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Serie : Thunderbolt IGBT®
Starea parțială : Active
Tip IGBT : NPT
configurație : Single
Tensiune - emițător colector (Max) : 1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) : 123A
Putere - Max : 570W
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 100A
Curentul curent - colector (maxim) : 100µA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 6.7nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : SOT-227-4, miniBLOC
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : ISOTOP®

Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT