Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB600AH120N

KEY Part #: K6533208

VS-GB600AH120N Preț (USD) [359buc Stoc]

  • 1 pcs$129.08969
  • 12 pcs$105.88785

Numărul piesei:
VS-GB600AH120N
Producător:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere detaliata:
IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - RF and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB600AH120N electronic components. VS-GB600AH120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB600AH120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB600AH120N Atributele produsului

Numărul piesei : VS-GB600AH120N
Producător : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere : IGBT 1200V 910A 3125W INT-A-PAK
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip IGBT : -
configurație : Single
Tensiune - emițător colector (Max) : 1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) : 910A
Putere - Max : 3125W
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 600A (Typ)
Curentul curent - colector (maxim) : 5mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 41nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de Operare : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : Double INT-A-PAK (5)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Double INT-A-PAK

Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.