Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Circuite integrate (IC)
  4. Memorie
  5. W947D2HBJX6E

Winbond Electronics - W947D2HBJX6E

KEY Part #: K942113

W947D2HBJX6E Preț (USD) [42953buc Stoc]

  • 1 pcs$1.20813
  • 240 pcs$1.20212
Numărul piesei:
W947D2HBJX6E
Producător:
Winbond Electronics
Descriere detaliata:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 166MHz, 65nm
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Logic - Robineți, Linear - Comparatoare, Interface - Telecom, PMIC - conducători de porți, Embedded - microprocesoare, Memorie, PMIC - PFC (Corecția factorului de putere) and PMIC - Regulatoare de tensiune - Regulatoare de co ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Winbond Electronics W947D2HBJX6E electronic components. W947D2HBJX6E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D2HBJX6E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX6E Atributele produsului

Numărul piesei : W947D2HBJX6E
Producător : Winbond Electronics
Descriere : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip de memorie : Volatile
Formatul memoriei : DRAM
Tehnologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Capacitate de memorie : 128Mb (4M x 32)
Frecvența ceasului : 166MHz
Scrieți durata ciclului - Word, Page : 15ns
Timpul de acces : 5ns
Interfața de memorie : Parallel
Tensiune - Aprovizionare : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de Operare : -25°C ~ 85°C (TC)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 90-TFBGA
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 90-VFBGA (8x13)

Cele mai recente știri

Winbond DRAM Product Portfolio
Winbond NOR Product Portfolio
Poți fi, de asemenea, interesat
  • IS25WP032A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWEIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • MT25QL128ABA1EW7-0SIT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SERIAL NOR SLC 32MX4 WPDFN

  • M24256-BRDW6P

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP. EEPROM 512Kbit and 256Kbit EEPROM

  • SST26VF064B-104I/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory

Piese calde