Numărul piesei :
SISS46DN-T1-GE3
Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET N-CH 100V PPAK 1212-8S
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
100V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
12.5A (Ta), 45.3A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.4V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
2140pF @ 50V
Distrugerea puterii (Max) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
PowerPAK® 1212-8S
Pachet / Caz :
PowerPAK® 1212-8S