Numărul piesei :
EGL41D-E3/97
Producător :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descriere :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) :
200V
Curent - mediu rectificat (Io) :
1A
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă :
1V @ 1A
Viteză :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) :
50ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr :
5µA @ 200V
Capacitate @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachet / Caz :
DO-213AB, MELF (Glass)
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
DO-213AB
Temperatura de funcționare - Junction :
-65°C ~ 175°C