Microsemi Corporation - APT58M50JU2

KEY Part #: K6396594

APT58M50JU2 Preț (USD) [4085buc Stoc]

  • 1 pcs$17.19770
  • 10 pcs$16.08114
  • 25 pcs$14.87267
  • 100 pcs$13.94306
  • 250 pcs$13.01352

Numărul piesei:
APT58M50JU2
Producător:
Microsemi Corporation
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 500V 58A SOT227.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Dioduri - Zener - Single, Dioduri - Redresoare - Arrays, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - IGBT - Single and Tranzistori - IGBT - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Microsemi Corporation APT58M50JU2 electronic components. APT58M50JU2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT58M50JU2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT58M50JU2 Atributele produsului

Numărul piesei : APT58M50JU2
Producător : Microsemi Corporation
Descriere : MOSFET N-CH 500V 58A SOT227
Serie : POWER MOS 8™
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 500V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 58A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 340nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 10800pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 543W (Tc)
Temperatura de Operare : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SOT-227
Pachet / Caz : SOT-227-4, miniBLOC

Poți fi, de asemenea, interesat
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.