GeneSiC Semiconductor - GB100XCP12-227

KEY Part #: K6532798

GB100XCP12-227 Preț (USD) [417buc Stoc]

  • 1 pcs$110.09500
  • 10 pcs$104.78142

Numărul piesei:
GB100XCP12-227
Producător:
GeneSiC Semiconductor
Descriere detaliata:
IGBT 1200V 100A SOT-227.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Modulele Power Driver, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single and Tranzistori - Module IGBT ...
Avantaj competitiv:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 electronic components. GB100XCP12-227 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB100XCP12-227, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB100XCP12-227 Atributele produsului

Numărul piesei : GB100XCP12-227
Producător : GeneSiC Semiconductor
Descriere : IGBT 1200V 100A SOT-227
Serie : -
Starea parțială : Obsolete
Tip IGBT : PT
configurație : Single
Tensiune - emițător colector (Max) : 1200V
Curent - Colector (Ic) (Max) : 100A
Putere - Max : -
Vce (pe) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 100A
Curentul curent - colector (maxim) : 1mA
Capacitate de intrare (Cies) @ Vce : 8.55nF @ 25V
Intrare : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de Operare : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Chassis Mount
Pachet / Caz : SOT-227-4
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : SOT-227
Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT