Rohm Semiconductor - RS1E150GNTB

KEY Part #: K6394128

RS1E150GNTB Preț (USD) [467723buc Stoc]

  • 1 pcs$0.08742
  • 2,500 pcs$0.08699

Numărul piesei:
RS1E150GNTB
Producător:
Rohm Semiconductor
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Tranzistori - IGBT - Arrays, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Dioduri - RF and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Rohm Semiconductor RS1E150GNTB electronic components. RS1E150GNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1E150GNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1E150GNTB Atributele produsului

Numărul piesei : RS1E150GNTB
Producător : Rohm Semiconductor
Descriere : MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 30V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 15A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 15V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 3W (Ta), 22.9W (Tc)
Temperatura de Operare : 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-HSOP
Pachet / Caz : 8-PowerTDFN

Poți fi, de asemenea, interesat
  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.