Infineon Technologies - IPB60R380P6ATMA1

KEY Part #: K6402328

IPB60R380P6ATMA1 Preț (USD) [2742buc Stoc]

  • 1,000 pcs$0.33396

Numărul piesei:
IPB60R380P6ATMA1
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 600V TO263-3.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - DIAC, SIDAC, Dioduri - Zener - Arrays, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Dioduri - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF and Tranzistori - scop special ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies IPB60R380P6ATMA1 electronic components. IPB60R380P6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB60R380P6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R380P6ATMA1 Atributele produsului

Numărul piesei : IPB60R380P6ATMA1
Producător : Infineon Technologies
Descriere : MOSFET N-CH 600V TO263-3
Serie : CoolMOS™ P6
Starea parțială : Obsolete
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 10.6A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4.5V @ 320µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 877pF @ 100V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 83W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : D²PAK (TO-263AB)
Pachet / Caz : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poți fi, de asemenea, interesat