Infineon Technologies - IPB160N04S4LH1ATMA1

KEY Part #: K6418911

IPB160N04S4LH1ATMA1 Preț (USD) [82489buc Stoc]

  • 1 pcs$0.47401
  • 1,000 pcs$0.43487

Numărul piesei:
IPB160N04S4LH1ATMA1
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH TO263-7.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Module IGBT, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tiristoare - TRIAC and Tiristoare - SCR - Module ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies IPB160N04S4LH1ATMA1 electronic components. IPB160N04S4LH1ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB160N04S4LH1ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB160N04S4LH1ATMA1 Atributele produsului

Numărul piesei : IPB160N04S4LH1ATMA1
Producător : Infineon Technologies
Descriere : MOSFET N-CH TO263-7
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 40V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 160A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.2V @ 110µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 14950pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 167W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PG-TO263-7-3
Pachet / Caz : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)