GeneSiC Semiconductor - GB10MPS17-247

KEY Part #: K6441303

GB10MPS17-247 Preț (USD) [3816buc Stoc]

  • 1 pcs$11.35085

Numărul piesei:
GB10MPS17-247
Producător:
GeneSiC Semiconductor
Descriere detaliata:
SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 25A SiC Power Schottky Diode
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tiristoare - SCR - Module, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - Redresoare - Arrays, Tranzistori - Module IGBT and Tranzistori - IGBT - Single ...
Avantaj competitiv:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB10MPS17-247 electronic components. GB10MPS17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB10MPS17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB10MPS17-247 Atributele produsului

Numărul piesei : GB10MPS17-247
Producător : GeneSiC Semiconductor
Descriere : SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2
Serie : -
Starea parțială : Active
Tipul diodei : Silicon Carbide Schottky
Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 1700V
Curent - mediu rectificat (Io) : 50A (DC)
Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1.8V @ 10A
Viteză : No Recovery Time > 500mA (Io)
Timp de recuperare invers (trr) : 0ns
Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 12µA @ 1700V
Capacitate @ Vr, F : 669pF @ 1V, 1MHz
Tipul de montare : Through Hole
Pachet / Caz : TO-247-2
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-247-2
Temperatura de funcționare - Junction : -55°C ~ 175°C
Poți fi, de asemenea, interesat
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-E4PH6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode