Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R303NL,L1Q

KEY Part #: K6416406

TPN4R303NL,L1Q Preț (USD) [247410buc Stoc]

  • 1 pcs$0.15701
  • 5,000 pcs$0.15623

Numărul piesei:
TPN4R303NL,L1Q
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Dioduri - punți redresoare, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - FET, MOSFET - Single and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R303NL,L1Q electronic components. TPN4R303NL,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN4R303NL,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN4R303NL,L1Q Atributele produsului

Numărul piesei : TPN4R303NL,L1Q
Producător : Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere : MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Serie : U-MOSVIII-H
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 30V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 40A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.3V @ 200µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 14.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 15V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 700mW (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de Operare : 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pachet / Caz : 8-PowerVDFN