Numărul piesei :
IPB60R190C6ATMA1
Producător :
Infineon Technologies
Descriere :
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
Starea parțială :
Not For New Designs
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
20.2A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.5V @ 630µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
63nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 100V
Distrugerea puterii (Max) :
151W (Tc)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
D²PAK (TO-263AB)
Pachet / Caz :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB