Toshiba Semiconductor and Storage - TK10A60W,S4X

KEY Part #: K6418269

TK10A60W,S4X Preț (USD) [57093buc Stoc]

  • 1 pcs$0.71924
  • 2,500 pcs$0.71567

Numărul piesei:
TK10A60W,S4X
Producător:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere detaliata:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - SCR-uri, Tranzistori - Unijuncții programabile, Dioduri - Zener - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tiristoare - TRIAC, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Dioduri - Redresoare - Arrays and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK10A60W,S4X electronic components. TK10A60W,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK10A60W,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK10A60W,S4X Atributele produsului

Numărul piesei : TK10A60W,S4X
Producător : Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere : MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Serie : DTMOSIV
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 9.7A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 3.7V @ 500µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 300V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 30W (Tc)
Temperatura de Operare : -
Tipul de montare : Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-220
Pachet / Caz : TO-220-3 Full Pack