Vishay Siliconix - SQD50N10-8M9L_GE3

KEY Part #: K6402023

SQD50N10-8M9L_GE3 Preț (USD) [121110buc Stoc]

  • 1 pcs$0.30541
  • 2,000 pcs$0.28504

Numărul piesei:
SQD50N10-8M9L_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CHAN 100V TO252.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Dioduri - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Modulele Power Driver, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased and Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQD50N10-8M9L_GE3 electronic components. SQD50N10-8M9L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD50N10-8M9L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD50N10-8M9L_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQD50N10-8M9L_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CHAN 100V TO252
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 100V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 50A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 2950pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 136W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : TO-252AA
Pachet / Caz : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poți fi, de asemenea, interesat
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.