Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays
  5. EPC2102ENGRT

EPC - EPC2102ENGRT

KEY Part #: K6523251

EPC2102ENGRT Preț (USD) [19716buc Stoc]

  • 1 pcs$2.31076
  • 500 pcs$2.29926
Numărul piesei:
EPC2102ENGRT
Producător:
EPC
Descriere detaliata:
GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, Modulele Power Driver, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in EPC EPC2102ENGRT electronic components. EPC2102ENGRT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2102ENGRT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2102ENGRT Atributele produsului

Numărul piesei : EPC2102ENGRT
Producător : EPC
Descriere : GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE
Serie : eGaN®
Starea parțială : Active
Tipul FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature : GaNFET (Gallium Nitride)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 60V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 2.5V @ 7mA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 30V
Putere - Max : -
Temperatura de Operare : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : Die
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : Die
Poți fi, de asemenea, interesat
  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.

  • SI4904DY-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC.

Piese calde