Vishay Siliconix - SQJQ100E-T1_GE3

KEY Part #: K6418340

SQJQ100E-T1_GE3 Preț (USD) [59834buc Stoc]

  • 1 pcs$0.65349
  • 2,000 pcs$0.55879

Numărul piesei:
SQJQ100E-T1_GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - IGBT - Arrays, Tiristoare - DIAC, SIDAC, Tiristoare - SCR-uri, Tiristoare - SCR - Module, Tranzistori - scop special, Tranzistori - JFET-uri, Tranzistori - Unijuncții programabile and Dioduri - Redresoare - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SQJQ100E-T1_GE3 electronic components. SQJQ100E-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJQ100E-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJQ100E-T1_GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SQJQ100E-T1_GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 40V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 200A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 14780pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 150W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® 8 x 8
Pachet / Caz : 8-PowerTDFN

Poți fi, de asemenea, interesat
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.