Numărul piesei :
TK12V60W,LVQ
Producător :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descriere :
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
600V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
11.5A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id :
3.7V @ 600µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 300V
FET Feature :
Super Junction
Distrugerea puterii (Max) :
104W (Tc)
Temperatura de Operare :
150°C (TJ)
Tipul de montare :
Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
4-DFN-EP (8x8)
Pachet / Caz :
4-VSFN Exposed Pad