GeneSiC Semiconductor - FR85D05

KEY Part #: K6425035

Descriere detaliata:: DIODE GEN PURP 200V 85A DO5. Rectifiers 200V 85A Fast Recovery

Categorii de familii:: KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - scop special, Tranzistori - Bipolari (BJT) - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Dioduri - Redresoare - Arrays, Dioduri - Zener - Arrays and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays ...

Avantaj competitiv:: We specialize in GeneSiC Semiconductor FR85D05 electronic components. FR85D05 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FR85D05, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Numărul piesei : FR85D05

Producător : GeneSiC Semiconductor

Descriere : DIODE GEN PURP 200V 85A DO5

Serie : -

Starea parțială : Active

Tipul diodei : Standard

Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 200V

Curent - mediu rectificat (Io) : 85A

Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1.4V @ 85A

Viteză : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Timp de recuperare invers (trr) : 500ns

Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 25µA @ 100V

Capacitate @ Vr, F : -

Tipul de montare : Chassis, Stud Mount

Pachet / Caz : DO-203AB, DO-5, Stud

Pachetul dispozitivelor furnizorilor : DO-5

Temperatura de funcționare - Junction : -40°C ~ 125°C

Poți fi, de asemenea, interesat

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

Piese calde