Infineon Technologies - BSP373NH6327XTSA1

KEY Part #: K6420784

BSP373NH6327XTSA1 Preț (USD) [253754buc Stoc]

  • 1 pcs$0.14576
  • 1,000 pcs$0.12627

Numărul piesei:
BSP373NH6327XTSA1
Producător:
Infineon Technologies
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tiristoare - TRIAC, Dioduri - Capacitate variabilă (Varicaps, Varactor, Tranzistori - Module IGBT, Modulele Power Driver, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tiristoare - SCR - Module, Dioduri - RF and Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Infineon Technologies BSP373NH6327XTSA1 electronic components. BSP373NH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP373NH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP373NH6327XTSA1 Atributele produsului

Numărul piesei : BSP373NH6327XTSA1
Producător : Infineon Technologies
Descriere : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Serie : OptiMOS™
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 100V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 1.8A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (a) (Max) @ Id : 4V @ 218µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 265pF @ 25V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 1.8W (Ta)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PG-SOT223-4
Pachet / Caz : TO-261-4, TO-261AA

Poți fi, de asemenea, interesat