Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Produse semiconductoare discrete
  4. Dioduri - Redresoare - Single
  5. JAN1N6622US

Microsemi Corporation - JAN1N6622US

KEY Part #: K6442405

[7413buc Stoc]

    Numărul piesei:
    JAN1N6622US
    Producător:
    Microsemi Corporation
    Descriere detaliata:
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A. Rectifiers Rectifier
    Timpul de livrare standard al producătorului:
    In stoc
    Termen de valabilitate:
    Un an
    Chip From:
    Hong Kong
    RoHS:
    Modalitate de plată:
    Mod de expediere:
    Categorii de familii:
    KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - Bipolari (BJT) - Unic, pre-Biased, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Single, Tranzistori - IGBT - Single, Tiristoare - SCR - Module and Tiristoare - DIAC, SIDAC ...
    Avantaj competitiv:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6622US electronic components. JAN1N6622US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6622US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6622US Atributele produsului

    Numărul piesei : JAN1N6622US
    Producător : Microsemi Corporation
    Descriere : DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/585
    Starea parțială : Active
    Tipul diodei : Standard
    Tensiune - DC înapoi (Vr) (Max) : 660V
    Curent - mediu rectificat (Io) : 1.2A
    Tensiune - înainte (Vf) (Max) @ Dacă : 1.4V @ 1.2A
    Viteză : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Timp de recuperare invers (trr) : 30ns
    Scurgeri reversibile de curent @ Vr : 500nA @ 660V
    Capacitate @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
    Tipul de montare : Surface Mount
    Pachet / Caz : SQ-MELF, A
    Pachetul dispozitivelor furnizorilor : D-5A
    Temperatura de funcționare - Junction : -65°C ~ 150°C

    Cele mai recente știri

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Poți fi, de asemenea, interesat
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.

    Piese calde