Vishay Siliconix - SI7858BDP-T1-GE3

KEY Part #: K6419553

SI7858BDP-T1-GE3 Preț (USD) [118801buc Stoc]

  • 1 pcs$0.31134
  • 3,000 pcs$0.29235

Numărul piesei:
SI7858BDP-T1-GE3
Producător:
Vishay Siliconix
Descriere detaliata:
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8.
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Tranzistori - IGBT - Single, Tranzistori - Bipolari (BJT) - Arrays, pre-biased, Dioduri - Zener - Arrays, Tranzistori - Unijuncții programabile, Tiristoare - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - Single, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Tranzistori - FET, MOSFET - Arrays ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Vishay Siliconix SI7858BDP-T1-GE3 electronic components. SI7858BDP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7858BDP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7858BDP-T1-GE3 Atributele produsului

Numărul piesei : SI7858BDP-T1-GE3
Producător : Vishay Siliconix
Descriere : MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Starea parțială : Active
Tipul FET : N-Channel
Tehnologie : MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) : 12V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C : 40A (Tc)
Tensiunea de transmisie (valorile max. : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (a) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds : 5760pF @ 6V
FET Feature : -
Distrugerea puterii (Max) : 5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de Operare : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : PowerPAK® SO-8
Pachet / Caz : PowerPAK® SO-8

Poți fi, de asemenea, interesat