Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Dacă locația dvs. nu este listată, selectați una dintre următoarele:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Acasă
  2. Produse
  3. Circuite integrate (IC)
  4. Memorie
  5. AS4C32M16MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16MSA-6BIN

KEY Part #: K937510

AS4C32M16MSA-6BIN Preț (USD) [17157buc Stoc]

  • 1 pcs$2.67064
Numărul piesei:
AS4C32M16MSA-6BIN
Producător:
Alliance Memory, Inc.
Descriere detaliata:
IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA. DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Timpul de livrare standard al producătorului:
In stoc
Termen de valabilitate:
Un an
Chip From:
Hong Kong
RoHS:
Modalitate de plată:
Mod de expediere:
Categorii de familii:
KEY Components Co., LTD este un distribuitor de componente electronice care oferă categorii de produse, inclusiv: Preluarea datelor - convertoare analogice la conve, Linear - Amplificatoare - Amplificatoare video și , PMIC - Reglementare / Management actual, Embedded - PLD-uri (dispozitiv logic programabil), Logic - Multivibratori, Embedded - microprocesoare, PMIC - Regulatoare de tensiune - Linear and Achiziția de date - ADC / DAC - scop special ...
Avantaj competitiv:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MSA-6BIN electronic components. AS4C32M16MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C32M16MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16MSA-6BIN Atributele produsului

Numărul piesei : AS4C32M16MSA-6BIN
Producător : Alliance Memory, Inc.
Descriere : IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
Serie : -
Starea parțială : Active
Tip de memorie : Volatile
Formatul memoriei : DRAM
Tehnologie : SDRAM - Mobile SDRAM
Capacitate de memorie : 512Mb (32M x 16)
Frecvența ceasului : 166MHz
Scrieți durata ciclului - Word, Page : -
Timpul de acces : 5.5ns
Interfața de memorie : Parallel
Tensiune - Aprovizionare : 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de Operare : -40°C ~ 85°C (TJ)
Tipul de montare : Surface Mount
Pachet / Caz : 54-VFBGA
Pachetul dispozitivelor furnizorilor : 54-FBGA (8x8)

Cele mai recente știri

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Poți fi, de asemenea, interesat
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Piese calde