Producător :
Vishay Siliconix
Descriere :
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Starea parțială :
Obsolete
Tehnologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Scurgeți la sursa de tensiune (Vdss) :
100V
Curent - scurgere continuă (Id) la 25 ° C :
1A (Ta)
Tensiunea de transmisie (valorile max. :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (a) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Chargeul prin poștă (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 25V
Distrugerea puterii (Max) :
1.3W (Ta)
Temperatura de Operare :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare :
Through Hole
Pachetul dispozitivelor furnizorilor :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pachet / Caz :
4-DIP (0.300", 7.62mm)